کتاب Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices اثر Zhe Chuan Feng انتشارات مؤلفين طلايي

کتاب Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices: بررسی و تحلیل دقیق

کتاب Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices تألیف Zhe Chuan Feng، یک مرجع معتبر در حوزه سیلیکون کاربید است که شامل 15 فصل تخصصی می‌باشد.

ساختار و محتوای کتاب Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices

این کتاب به صورت سیستماتیک به چهار بخش تقسیم شده است، که موضوعاتی بنیادی و پیشرفته را پوشش می‌دهد. فصل ابتدایی این مجموعه به قلم پروفسور W. J. Choyke، یک چهره متمایز در علم سیلیکون کاربید، نگاشته شده است.

• تاریخچه SiC پیش خورشیدی
• رشد بخار-مایع-جامد
• بررسی‌های طیف‌سنجی 3C-SiC/Si
• تحولات و چالش‌های قرن بیست و یکم

فصول کلیدی در کتاب Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices

عناوین مهم دیگر شامل موارد زیر می‌باشد:

• اصول و تکنیک‌های CVD
• هومواپیتاکسی 4H-SiC
• SiC مکعبی رشد یافته روی 4H-SiC
• فرآیندهای اکسیداسیون حرارتی SiC و رابط MOS
• پراکندگی رامان و مطالعات شب تاب NIR
• بیضی سنجی ماتریس مولر، میکروسکوپ رامان و تصویربرداری
• تابش 4H-SiC و UV آشکارسازها
• پراش پرتو ایکس با طول موج کوتاه و سنکروترون

چاپ و انتشار Handbook of Silicon Carbide Materials and Devices

این کتاب به عنوان جدیدترین ویرایش از سوی انتشارات مؤلفین طلايي منتشر شده و ارائه‌ای جامع و دقیق از حوزه‌های پژوهشی سیلیکون کاربید به شمار می‌رود.