خرید و قیمت اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M480 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت یک ترابایت

اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M480 PCIe 4.0 NVMe M.2 ظرفیت یک ترابایت

5,480,000تومان
معرفی اجمالی
مشخصات محصول
فروشندگان

معرفی اجمالی

معرفی حافظه اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M480 PCIe 4.0 NVMe M.2، ظرفیت یک ترابایت

حافظه‌های SSD به دلیل ویژگی‌های برجسته خود، امروزه محبوبیت زیادی در بازار دارند. این نوع دیسک، برخلاف هارد‌دیسک‌های سنتی از اجزای الکترومکانیکی استفاده نمی‌کند و در نتیجه مقاومت بیشتری در برابر ضربات و لرزش‌ها دارد.

ویژگی‌های حافظه اس اس دی ام اس آی مدل SPATIUM M480 NVMe M.2

محصول اس اس دی اینترنال ام اس آی مدل SPATIUM M480 با فرم فاکتور M.2 2280 و رابط PCIe Gen4x4, NVMe 1.4 طراحی شده است. ویژگی‌های کلیدی این حافظه به شرح زیر است:

  • سرعت نوشتن اطلاعات: سرعت نوشتن ترتیبی 3300 مگابیت بر ثانیه، که به بهبود عملکرد در ذخیره‌سازی اطلاعات کمک می‌کند.
  • مقاومت در برابر شوک: قابلیت تحمل تا 1500G در برابر شوک، جهت افزایش دوام و قابلیت اطمینان.
  • میانگین عمر: عمر مفید حدود 1600000 ساعت، که نشان‌دهنده کیفیت بالا و ماندگاری محصول است.
  • مصرف انرژی: مصرف کمتر انرژی نسبت به هارددیسک‌ها، برای افزایش زمان شارژدهی باتری در لپ‌تاپ‌ها.

چرا حافظه اس اس دی ام اس آی مدل SPATIUM M480 گزینه‌ای مناسب است؟

سرعت انتقال اطلاعات بالا در حافظه‌های SSD، موجب تسریع پردازش‌ها در سیستم‌های کامپیوتری می‌شود و با توجه به کاهش مصرف انرژی، می‌توان تجربه‌ای مطلوب از استفاده از لپ‌تاپ‌ها در روزمره داشت. انتخاب حافظه اس اس دی ام اس آی مدل SPATIUM M480 می‌تواند بهبود قابل توجهی در عملکرد دستگاه‌های شما به ارمغان بیاورد.

مشخصات
وزن:9.7 گرم
سایر قابلیت‌ها:قابلیت بهینه سازی عملکرد (TRIM) فناوری خود نظارت، تجزیه و تحلیل و گزارش (SMART) رمزگذاری داده ها (AES256/TCG OPAL2.0/Pyrite) قابلیت تصحیح خطا ابعاد: 80.00x22.00x2.15 میلی‌متر دمای عملیاتی: 0-70 درجه سانتی‌گراد حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک 1500G LDPC (Low Density Parity Check) ECC Algorithm End to End Data Path Protection APST (Autonomous Power State Transition) میانگین عمر 700 TBW
کنترل کننده:PHISON E18
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی:700K (IOPS)
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی:350K (IOPS)
نوع رابط حافظه:Gen4x4, NVMe 1.4
ظرفیت:یک ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک:1500G
میانگین عمر:1600000 ساعت
نوع حافظه فلش:3D NAND
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی:5500 MB/S
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی:7000 MB/S
قابلیت‌های مقاومتی:مقاومت در برابر شوک و لرزش